电力电子课程设计----IGBT单相电压型全桥无源逆变电路
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1、 1 1 引言引言 本次课程设计的题目是 IGBT 单相电压型全桥无源逆变电路设计, 根据电力 电子技术的相关知识,单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路,与整流电路 相比较,把直流电变成交流电的电路成为逆变电路。当交流侧接在电网上,称 为有源逆变;当交流侧直接和负载相接时,称为无源逆变,逆变电路在现实生 活中有很广泛的应用。 2 2 工作原理概论工作原理概论 2.2. 1 IGBT1 IGBT 的简述的简述 绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor),英文简写为 IGBT。 它是一种典型的全控器件。它综合了 GTR 和 MOSFET 的优点,因而具有
2、良好的特性。现 已成为中、大功率电力电子设备的主导器件。IGBT 是三端器件,具有栅极 G、集电极 C 和发射极 E。它可以看成是一个晶体管的基极通过电阻与 MOSFET 相连接所构成的一种 器件。其等效电路和电气符号如下: 图 1 IGBT 等效电路和电气图形符号 它的开通和关断是由栅极和发射极间的电压所决定的。 当 UGE 为正且大于开启 电压 UGE 时,MOSFET 内形成沟道,并为晶体管提供基极电流进而是 IGBT 导通。由于前 面提到的电导调制效应, 使得电阻减小, 这样高耐压的 IGBT 也具有很小的通态压降。 当山脊与发射极间施加反向电压或不加信号时,MOSFET 内的沟道消失
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