IGBT驱动电路

1、 时间:时间: 20132013 年年 6 6 月月 3 30 0 日日 2 任任 务务 书书 题目:一种脉宽调制执行电机驱动电路的设计题目:一种脉宽调制执行电机驱动电路的设计 目的:目的: 1.实现对电气控制电机拖动变流技术等课程内容的应。

2、介 2 2 第二章第二章 任务分析任务分析. 3 3 第三章第三章 任务实施任务实施 4 4 一,新建原理图文件. 4 二,放置组件. 5 四,原理图的连线. 7 五原理图的电气检查编译和调整 10 第四章第四章 PCBPCB 制作制作 1。

3、efhttp:www.bisheziliao.comp134329.htmlhttp:www.bisheziliao.comp134329.html中文4287字附录 A 英 文文献 原文 nbsp;Development of a Nov。

4、设计方案,采用SVPWM控制策略,具有过调制 功能,当母线电压波动时,能使 PWM 波形输出稳定,实验波形显示该系统具有较好的 性能 关键词: 数字信号处理器;空间矢量 PWM;矢量控制系统;智能功率模块; 变频调 速; 交流异步电机 Ab。

5、稿 的过程, 自始至终, 老师都投入大量的精力. 他多次询问有关写作过程中遇到的问题, 帮助我探索新思路,老师治学严谨,以慷慨和仁慈的心,积极乐观的生活态度,兢兢 业业,一丝不苟的工作作风和大胆创新,锐意进取精神,为我树立一个终生的学习榜 。

6、理图的设计 5 一.新建原理图文件 5 二设置工作环境 . 5 1原理图参数设置. 5 2设置图纸大小方向 5 三放置组件 5 1首先观察任务原理图中各元件的数量和类型. 5 2对元件进行参数设置 . 6 四,原理图的连线 . 6 五原理图。

7、以 及欠压过流过热保护电路都作了详细的介绍. 关键词:关键词:脉宽调制 ; H 桥驱动电路 ; 过流保护;欠压保护 ; II Abstract A drive circuit which is based on the PWM signal。

8、D 照明领域,没有好 的驱动器与之匹配,LED 照明的优点将无法体现出来.大功率 LED 是电流型器件, 严格的控制其流过的电流的恒定显得尤为重要.然而,选择大功率 LED 的驱动方案, 还要根据 LED 的电气特性考虑到诸多对电路有影响的。

9、量转换统一理论和坐标理论 的基础上发展起来的,具有新颖性先进性和实用性. 本文首先对 DIFG 的运行理论进行分析,建立了 DIFG 数学模型,对坐标变换及运行 特性进行了理论指导,为双馈电机的研究奠定了理论基础.通过对双馈型发电机的工作 。

10、设计人员 带来了很大的便利.现有的面向工业控制设备和仪器仪表的小型 LCD 显示控制器,多采用 单片机控制 LCD.它的外围电路设计复杂,编程复杂,价格高且可移植性较差.本设计采 用 FPGA 进行数字电路设计,设计灵活,工作效率得到了很大。

11、LED 的发光原理及主要参数 7 2.2.1 LED 的发光原理 7 2.2.2 LED 的主要参数 . 7 第 3 章 LED 驱动主电路的设计 . 10 3.1 电路设计的总体方案 10 3.2 主电路的设计 12 3.2.1 EMI 。

12、age negative feedback principle to design a constant current driving circuit comprises a soft starting and current limit。

13、 .例如 液晶驱动芯片的国内产业 ,由于 液晶面板产业 和 巨大的市场支持 , LED 驱动 IC 预计在中国蓬勃发展 ,并且使 国内企业更大更强 ,从而 促进 国内 LCD 驱动 芯片的 发展. 中国 LED 行业目前 所处 劣势在于国内。

14、1 IGBT 的简述的简述 绝缘栅双极晶体管Insulatedgate Bipolar Transistor,英文简写为 IGBT. 它是一种典型的全控器件.它综合了 GTR 和 MOSFET 的优点,因而具有良好的特性.现 已成为中大功率。

15、 填表日期 二 一 年 3 月 2 说 明 1 毕业设计的开题报告是保证毕业设计质量的一个重要环节,为规范毕业设计的开题报告,特印发此表. 2 学生应在 开题报 告 前,通过调研和资料搜集,主动与指导教师讨论,在指导教师的指导下,完成开题报。

16、现变流. 直流斩波电路作为将直流电变成另一种固定电压或可调电压的 DCDC 变换 器 ,在直流传动系统充电蓄电电路开关电源电力电子变换装置及各种用电 设备中得到普通的应用.随之出现了诸如降压斩波电路升压斩波电路升降压 斩波电路复合斩波电路等。

17、整体门极驱动和异常电路的保护电路在常见的低压 5V高密度 0.8 m 半导体工艺 的处理 .扩展 MOSFET 管以在这个设计中实现抗高压的能力. 关键词:门极驱动, IGBT, HVNMOS,HVPMOS 1. 简介 一个有效的 IGBT。

18、T 单相全桥无源逆变电路设计 设 计 技 术 参 数 1输入直流电压:Ud100V 2输出功率:300W 3输出电压波形:1KHz 方波 设 计 要 求 1. 教师确定方向,在教师的指导下,学生自立题目 注意事项: 所立题目必须是某一电力电。

19、 指 导 教 师 设计起止时间 2010 年 12 月 27 日至 2011 年 1 月 7 日 成绩 1 目目 录录 课程设计任务书课程设计任务书2 2 概述概述 5 5 摘要摘要 5 5 1设计条件设计条件5 5 1.1 技术指标和设计。

20、务务 书书 1设计目的: 1.加深理解电力电子技术课程的基本理论 2.掌握电力电子电路的一般设计方法,具备初步的独立设计能力 3.学习 MATLAB 仿真软件及各模块参数的确定 2设计内容和要求包括原始数据技术参数条件设计要求等: 设计条件。