单相H桥逆变电路设计

1、1 IGBT 的简述的简述 绝缘栅双极晶体管Insulatedgate Bipolar Transistor,英文简写为 IGBT. 它是一种典型的全控器件.它综合了 GTR 和 MOSFET 的优点,因而具有良好的特性.现 已成为中大功率。

2、B 软件分别对电路的仿真进行了设计;实现了对单相桥式全控整流及有 源逆变电路的仿真. 关键词:Simulink;单相桥式全控整流及有源逆变电路;仿真设计 3 Abstract In this paper, singlephase bridg。

3、阻感性负载 设计条件: 1输入直流电压:Ui200V 2输出功率:500W 3输出电压波形:1KHz 方波 三三课程设计的内容,指标内容及要求,应完成的课程设计的内容,指标内容及要求,应完成的任务任务 1课程设计的要求 1整流电路的选择 2。

4、撰写水平. 2设计内容和要求 设计内容: 1设计一个单相桥式晶闸管有源逆变电路反电势阻感负载 设计要求: 1电源电压:交流50V50Hz; 2逆变功率:200W; 3反电势: E70V; 4逆变角: 35. 指导教师签名: 2011 年 月。

5、 指 导 教 师 设计起止时间 2010 年 12 月 27 日至 2011 年 1 月 7 日 成绩 1 目目 录录 课程设计任务书课程设计任务书2 2 概述概述 5 5 摘要摘要 5 5 1设计条件设计条件5 5 1.1 技术指标和设计。

6、 3 3 1.3 1.3 课题课题内容及要求内容及要求 3 3 1.4 1.4 课题课题意义意义33 二二 单相桥式逆变电路单相桥式逆变电路 2.1 2.1 电压型逆变电电压型逆变电路路44 2.2 2.2 电流型逆变电路电流型逆变电路66。

7、资料. 2 2培养学生综合分析问题发现问题和解决问题的能力. 3 3培养学生运用知识的能力和工程设计的能力. 4 4提高学生课程设计报告撰写水平. 2设计内容和要求包括原始数据技术参数条件设计要求等 : 设计内容: 1设计一个单相桥式晶闸管。

8、 指导教师:指导教师: 设计时间:设计时间: 2011111320111121 设计地点:设计地点: 电力电子室 2 电力电子 课程设计成绩评定表 姓 名 学 号 课程设计题目: 单相半桥无源逆变电路设计 课程设计答辩或质疑记录: 1电路中。

9、T 单相全桥无源逆变电路设计 设 计 技 术 参 数 1输入直流电压:Ud100V 2输出功率:300W 3输出电压波形:1KHz 方波 设 计 要 求 1. 教师确定方向,在教师的指导下,学生自立题目 注意事项: 所立题目必须是某一电力电。

10、交流电压频率范围在 30 60HZ,电压 3050V 范围可调.根据电力电子技术的相关知识,把直流电变成交 流电的电路成为逆变电路.单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路.采用阻感 负载,负载两端的电压即为输出电压.设计电路中采用 IGBT 。