电源开关

1、 型号及各自特点 1.3 PLC 分类及主要性能 1.4 系统总体方案概述 第 2 章 硬件系统分析 2. 1 引言 2.2 电气控制方案设计 2.3 PLC 型号的选择 2.4 特殊功能模块的选择 2.4.1 技术参数 2.4.2FX2N-4A/D 模块的接线方式 2.4.3 缓冲寄存器及设置 2.4.4 检测参数设置 2.5 I/O 口设计 2.6 系统外部连线电路设计 第 3 章 软件系统分析 3.1 系统流程图设计 3.2 系统梯形图设。

2、期 二一二年五月 摘要 摘要摘要 随着经济的发展和人们生活水平的提高， 电子信息技术越来越广泛的应用的 人们的日常生活当中，其中无线遥控开关技术在我们周围已经变得随处可见。
电 源开关技术是一项非常基础的技术， 其中可调遥控电源开关正在逐步地替换传统 的手工机械电源开关。
可调遥控电源开关是指用发射器发射无线电或者红外线来 控制电源开关，无线电和红外线各有优缺点，无线电的优势是可以穿透障碍物， 如墙壁、 混凝土建筑， 遥控距离比较远， 缺点是相同频率的无线电信号相互干扰。
红外线的优势是相同频率红外线信号不易相互干扰，可以大规模批量生产（如电 视机、空调遥控器），无法穿透障碍物，缺点是遥控距离比较近。
红外线遥控和 无线电遥控原理基本相同，二者区别主要在于信号频段不同，并且无线电适用于 远距离遥控，红外线则侧重于近距离遥控。
相比之下红外线在日常生活中的应用 范围比较广，像彩色电视机遥控器、空调遥控器、DVD遥控器等等一系列家用电 器。
本文介绍的可调遥控电源开关的设计， 是主要基于PT2262和PT2272设计的红 外遥控系统，由采用PT2262设计的红外线发射电路发射一。

3、源是利用现代电子技术控制开关晶体管开通和关断的时间比率， 维持稳定输 出电压的一种电源， 开关电一般由脉冲宽度调制 （pwm） 控制 IC 和 MOSFET 构成。
开关电源和线性电源相比，二者都随着输出率关上，反而高于开关电源，这 一点称为本钱反转点。
随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在 不断地创新，本钱反转点日益向低翰出电力端移动，这为开关电源提供了广阔发 展空间。
开关电源高频化是其发展的方向，高频化使开关电源小犁化，拜使开关 电源进进更广泛的应用领域。
特别是在高新技术领域的应用，推动了高新技术产 品的小型化、轻便化。
另外开关电源的发展与应用，在节约能源、节约资源及保 护环境方面都具有重要的意义。
2 一、一、 总体设计思路总体设计思路及框图及框图 1.1 设计总体思路 输入EMC 等滤波整流（也就一般的 AC/DC 类似全桥整流模块） DC/DC 模块（全桥式 DCAC高频变压器高频滤波器DC,）输出。
系统可以划分为变压器部分、整流滤波部分和 DC-DC 变换部分，以及负载部分， 其中整流滤波和 DC-DC 变换器构成开关稳压电源。
整流电。

4、 自动化 自动化 刘志成 I 智能定时电源开关设计智能定时电源开关设计 摘要摘要 随着家用电器的越来越普及和人们生活节奏的加快，人们对电器的依赖性进一步 提高，对电器的定时需求也进一步加大。
智能定时电源开关可以实现人为地设置电源 的开通关断时间，这样就可以实现用电设备的通电开启与关闭的人为控制，在方便人 们的同时又节省了大量电能 本文介绍了一种基于 STC89C52RC 单片机的智能定时电源开关设计方案，该系统 是通过 STC89C52RC 的定时器与中断设计一段时间的倒计时，当倒计时到了预设的时 间继电器就会接通，相应的电器就会开始工作，时间结束继电器关闭，电器也停止工 作。
本设计通过程序的循环设计可以实现倒计时的无限重复，即第一次倒计时结束后 会自动复位，继续下一轮的倒计时，所以一旦开始工作，无需人为的其他任何操作就 可以实现时间无限制的循环工作，真正实现智能、定时。
关键词： STC89C52RC，定时器，数码管，继电器 II A Design Of Smart Timing Power Switch Abstract With the increasingly popula。

5、http:/www.bisheziliao.com/p-149488.html target=_blank style=text-decoration: underline; font-size: 18px; color: rgb(255, 0, 0);http:/www.bisheziliao.com/p-149488.html PDF外文：a href=http:/www.bishezilia。

6、整体门极驱动和异常电路的保护电路在常见的低压（ 5V）高密度（ 0.8 m ） 半导体工艺 的处理 。
扩展 MOS-FET 管以在这个设计中实现抗高压的能力。
关键词：门极驱动， IGBT， HVNMOS,HVPMOS 1. 简介 一个有效的 IGBT 门极驱动必须连接单片机的接口，通过电压或者电流来实现 IGBT1的开关，而且同时能够在非正 常情况下保护 IGBT。
最 近几年， 种类繁多的制造设计工艺已经实现在 IGBT 的门极驱动【 2,3】。
在大多数的这些设计中，其 中用于高压门极驱动电路的实现往往与低压控制电路的实现不同。
这项工作的目的是 IGBT 驱动的高压部分在传统的低压（ 5V） 高密度（ 0.8 m ） 半导体中的实现 4， 在不额外添加其他条件的情况下达到高压性能， 使用扩展 MOS晶体管 5, 这个过程可以适合低压控制电路中实施， 因此 也可以 在一个单片机芯片 上实现高压驱动控制，与此同时还实现了保护电路的最小区域和最小功耗。
1.1 IGBT 开特性 图 1 展示了 IGBT 和感性负载，图 2 展示 开状态电路的理想波形。
IG。