电材微电子物理与器件课程设计--PNP双极型晶体管的设计

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1、 课课 程程 设设 计计 课程名称 微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP 双极型晶体管的设计 学生学院_ 材料与能源学院_ _ 专业班级 学 号 学生姓名_ _ _ 指导教师_ _ 2011 年 6 月 17 日 课程设计任务书课程设计任务书 一、课程设计的内容一、课程设计的内容 设计一个均匀掺杂的 pn p 型硅双极晶体管，满足 T=300K 时，基区掺杂浓 度为 NB=10 16cm-3,共发射极电流增益=50。BV CEO=60V，设计时应尽量减小基区宽 度调制效应的影响，假设经验参数为年 n=3) 二、课程设计的要求与数据二、课程设计的要求与数据 1了解晶体管设计的一般步骤和设计原

2、则 2 根据设计指标设计材料参数， 包括发射区、 基区和集电区掺杂浓度 NE, NB, 和 NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 3 根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数， 包括集电区厚度 Wc， 基本宽度 Wb，发射区宽度 We和扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje等。 4根据扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散 的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时 间。 5根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、 发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，

3、制定详细的工艺实施方案。 7撰写设计报告 三、课程设计应完成的工作三、课程设计应完成的工作 1. 材料参数设计 2.晶体管纵向结构设计 3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形） 4工艺参数设计和工艺操作步骤 5.总结工艺流程和工艺参数 6. 写设计报告 四、课程设计进程安排四、课程设计进程安排 序 号 设计各阶段内容 地点 起止日期 1 教师布置设计任务，讲解设计要求和方法 教 1-401 2011.6.6 2 学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体 设计方案的制定 图书馆， 教 1-401 2011.6.7 3 设计晶体管的各区材料参数和结构参数设 计 图书馆， 教

4、 1-401 2011 .6.8 4. 教师集中辅导，分析材料参数和结构设计 中存在的主要问题 教 1-407 2011.6.9 5 晶体管工艺参数设计， 实验室 教 1-402 2100.6.10- 2011.6.11 6 绘制光刻基区、发射区和金属化的版图 实验室 教 1-402 2011.6.12 2011.6.13 8 教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主 要问题 实验室 教 1-322 2011.6.14 9 总结设计结果，写设计报告 实验室 教 1-322 2011.6.15 10 写课程设计报告 图书馆， 宿室 2011.6.16 11 教师组织验收，提问答辩 实验室 2011.

5、617 五、应收集的资料及主要参考文献 1半导体器件基础Robert F. Pierret 著，黄如译，电子工业出版社，2004. 2半导体物理与器件 赵毅强等译，电子工业出版社，2005 年. 3硅集成电路工艺基础，关旭东编著，北京大学出版社，2005 年. 发出任务书日期：发出任务书日期： 20112011 年年 6 6 月月 6 6 日日 指导教师签名：指导教师签名： 计划完成日期：计划完成日期： 20112011 年年 6 6 月月 1717 日日 基层教学单位责任人签章：基层教学单位责任人签章： 主管院长签章：主管院长签章： 目目 录录 一、课程设计目的与任务一、课程设计目的与任务 2 2 二、课程二、课程设计时间设计时间 2 2 三、课程设计的基本内容三、课程设计的基本内容2 2 3.1 3.1 微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计npnnpn 双极型晶体管的设计双极型晶体管的设计2 2 3.2 3.2 课程设计的主要内容：课程设计的主要内容： 2 2 四、 课程设计原理四、 课程设计原理