外文文献翻译译文---金属氧化物半导体传感器用于空气中活性气体杂质测定
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1、PDF外文:http:/ 中文 7420 字 ISSN 1070-3632。 俄罗斯普通化学杂志 , 2008 年, 第 12 号 ,第 78 卷, 第 2545-2555 页 。 宿星出版社出版 有限公司 ,2008 年。 原始俄罗斯文本, L.A. Obvintseva 于 2008 年发表在俄罗斯化学杂志,第二号,第 52 卷,第 113 页 -121 页。 金属氧化物半导体传感器 用于空气中活性气体杂质测定 L. A. Obvintseva 摘要 :本文 对测量 微量 O2,NOx, CL2, ClO2,和 HCl 金属氧化物半导体传感器
2、的特点进行了讨论。对半导体传感器的具体功能和这些微量杂质的检测进 行了测定。对由传感器产生的信号大小在 WO3-, ZnO-,和 In2O3 传感层进行检测,涉及到检测 O3, NOx, Cl2, ClO2和 HCl 的浓度。通过半导体传感器检测目标杂质敏感性的反应使其适合衡量卫生区和检测大气中臭氧水平的最高允许浓度。对用半导体气体传感器的气体分析仪在开放的环境中测定气体的杂质的实例加以说明。 简介 : 在 20 世纪 40 年代 的研究工作集中于半导体电物理特性影响气体吸附 。从那时起半导体工程取得了重大进展但也提出来反问题,即从检测半导体的电物理特性的变化检测气体杂质。然而,相
3、对于半导体 1 器件 被立即纳入 科学和技术各个领域半导体传感器,它经历了一个漫长的过程,即从实验室模型到大规模生产。这一领域的进步很大程度上归功于由I.A. Myasnikov 领导的卡尔波夫物理研究所( NIFKHI) 所进行 的研究活动。这些研究主要是集中在发生在半导体金属氧化物表面 发生的 基 本 物理化学反应 和 高灵敏度传感器的物理应用(这些研究的大部分调查结果汇总见 1)。为此,在实验室中 一些 经过独特设计的 独一无二 仪器被使用 。 在为测定空气中气体杂质而进行的半导体传感器设计及研究活动(主要是国外)有了显著发展的同时,适合进行大规模生产的商业技术也 有了很大进步 2-7。
4、这些成果使得多种感应器的商业化生产达到了极限。主要的金属氧化物半导体感应器制造商是英国的 City Technology 公司和日本的 Figaro Inc 公司。 它们的主要缺点是半导体传感器的选择性差,但它们的所具有的优点,即灵敏度高, 灵捷 性,体积小和大规模生产成本低,仍然使它们在气体分析的应用中具有很强的竞争力。至于半导体传感器的选择性,很多研究都在努力提高半导体气体的选择性, 这个问题 在许多应用中得到解决 4, 8。 半导体传感器提供了太多的保证,特别是在污染监测点,通过长期 的检测,反映在大气中的微量杂质(在认为排放量的情况下
5、),以控制工业区和住宅区的空气质量。最近,移动空气质量监测站的申请 数量 在不断增加,这需要廉价的便携式气体分析仪设备。在这里,分析设计测量空气中微量 O3, NOx, Cl2, ClO2,和 HCl 的半导体传感器 是非常必要的 。 其在大气中含量的增加, 由于 汽车尾气排放( NOx)和热电联产电站的( NOx, HCl),化学工业,微电子,有色冶金( C12, l),漂白设施,废水和污水处理厂( O3, Cl2, ClO2),以及在烟雾( O3, NOx, NOx)每日循环光催化反应。 Fig.1 传感器的设计结构:( a)测量电极和感应层(顶视图)和( b)
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