微电子专业毕业论文

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1 毕业设计论文 离子注入工艺及设备研究 系 电子信息工程系 专业 微电子技术 姓名 杨雷 班级 微电 103 学号 1001113110 指导教师 刘锡锋 职称 讲 师 指导教师 职称 设计时间 2012.9.19 2013.1.4 江苏信息职业技术学院毕业设计 （ 论文 ） 2 摘要 ： 在电子工业中，离子注入现在已经成为了 微电子 工艺中的一种 重要的掺杂技术，也是控制 MOSFET 阈值电压的一个重要手段。因此在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。 离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速（对 Si，电压 105 V），获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处。 离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工 艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可实现自对准技术（以减小电容效应）。 关键词： 离子注入工艺；半导体；掺杂