电子专业毕业论文外文资料及翻译译文--恒流源

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1、附件 1：外文资料翻译译文 恒流源 电流源是电气或电子装置，可提供或吸收电流。一个电流源是一个电压源双。术语恒流源有时用来从一个负电压电源馈来源。图 1 显示了一个理想的电流源驱动的电阻负载的原理图。 图 1 理想电流源 1、 理想电流源 在电路理论，理想电流源电路元件 的电流通过时与 其两端的电压无关。这是一个数学模型。如果通过一个理想的电流源电流可以指定独立于任何其他变量的电路，它被称为一个独立的电流源。相反，如果其他一些电压或电路中的电流通过一个理想电流源的电流决定，它被称为从属或控制的电流源。这些源符号，如图 2 所示 。 图 2 各种电流源符号 一个独立的电流源与零电流是相同的理想开

2、路。基于这个原因，一个理想电流源内阻是无限的。在一个理想的电流源的电压是完全取决于它 的 连接电路。当连接到短路，存在零电压，从而零功率交付。当连接到 负载电阻两端的电压接近源的负载电阻接近无穷大（开路）。因此，一个理想的电流源可提供无限的 能量将代表无限的能源来源。连接的理想开路理想非零电流源是无效的，在电路的电路方程分析将是自相矛盾的，例如， 5 = 0。 没有真正的电流源是理想的（不存在无限的能源），并且所有的有限的内部电阻（没有人能提供无限的电压）。然而，内部电阻电流源建模的有效结合电路分析与理想电流源非零并联电阻（诺顿等效电路）。 2、 电阻电流源 最简单的电流源包括一个与一个电阻器

3、系列电压源。目前从这样的来源可以是由两端的电压源电压比电阻器的电阻提供 。对于一个几近完美的电流源，这个电阻值应该是非常大的，但是这意味着，在规定的电流，电压源必须是非常大的。因此，效率低（由于功率的电阻损耗），它通常是不切实际的建好这样的电流源。尽管如此，在很多情况下，这种电路将提供足够的性能时指定的电流和负载电阻小。例如，与一个 4.7K 的欧姆电阻器系列 5V 的电压源将提供一个大约 1mA 的恒定电流（ 5 ），以在 50 至 450 欧姆负载电阻范围。 3、 主动电流源 主动电流源在电子电路中的许多重要的应用。 （电流）稳定电阻电流源通常用于在模拟集成电路的欧姆电阻的地方产生的电流而

4、不 会导致一个在信号路径的电流源连接点的衰减。一个双极晶体管的集电极，一个场效应晶体管，或一个真空管自然表现为（或汇漏电流源盘）当正确连接到外部的能源来源（如电力供应），因为输出这些设备的高阻抗，自然是当电流源配置中使用。 4、 结型场效应管和 N - FET 电流源 一款 JFET 可作为一所捆绑的大门，它的源电流源。目前则是流动的 FET 的IDSS 的。这些就可以买到这个已经在此设备被称为电流稳压二极管或恒定电流二极管或限流二极管（ CLD）的案件有关。一个增强型 N 沟道 MOSFET，可用于下列电路 5、 简单晶体管电流源 图 3 显示了一个典型的恒定电流源（ CCS）的。 DZ1

5、是一个齐纳二极管，当这种反向偏置（所示电路），它有一个恒定的电压上，不论是流经它的电流下降。因此，只要齐纳电流（输出型）超过一定水平（称为维持电流），对面的齐纳二极管（ VZ）的电压将保持不变。电阻 R1 用品齐纳电流和基极电流（ IB）的的 NPN晶体管（ Q1）。恒定纳电压是适用于整个 Q1 和发射极电阻 R2 基地。电路的操作如下： R2 的（ VR2）电压由下式给出 VE- VBE 中，在 VBE 中是 Q1 基地发射极 下降。Q1 的发射极电流，也是经过 R2 的电流由下式给出22)( 22 R VVRVII BEERER 图 3 典型恒流源 由于 VE 不变， VBE 中也（大约）

6、某一温度恒定，可以得出 VR2 是恒定的，所以 IE 也不变。由于晶体管的 作用 ，发射极电流 IE 是非常接近等于集电极电流的晶体管集成电路（反过来，是当前通过负载）。因此，负载电流为常数（忽略了晶体管，由于早期的效果输出电阻）和电路作为一个恒定电流源的运作。只要温度保持不变（或变化不大），负载电流将是电源电压， R1 和晶体管的增益无关。 R2 的允许负载电流在任何可取的值集，并计算2R2 RBEE I VV 或265.02RZ IVR ,由于 VBE 中通常是 0.65 V 的硅器件 （ IR2 也是发射极电流，并假设作为收藏家或负载所需的电流，同时提供 HFE 的足够大）。阻力在电阻B

7、ZZS IKI VVR *1 ， 其中，K= 1.2 到 2（使 R1 是足够低，以确保有足够的 IB）(m in)2 )(FERECB h IIII ， (min)FEh 是最低的，特别是可以接受的类型正在使用的晶体管的电流增益。 6、 简单晶体管电流源与二极管 补偿 温度的变化会改变输出电流由图 3 电路交付因为 VBE 对温度很敏感。温度补偿的依赖可以用图 4 电路，包括一个标准（作为晶体管的半导体材料相同）与齐纳二极管系列二极管 D 为在图像显示在左侧。该二极管压降（ VD）的追踪 VBE中由于温度变化和温度，从而大大抵消了 对 CCS 的依赖。 电阻2R2 RBEzz I VVV ,