1、 I 摘摘 要要 LED 的发展由来已久，和半导体雷射组件的发展几乎同步。虽然近年来，LED 已发展成 独立的一支庞大工业，在早期甚至可谓半导体雷射的附属产品。迄今为止，无数的高功率 高传输效果的半导体雷射已成熟的将信号经由越洋海底光缆传送到目的地，而这种先进技术 衍生出。发光组件可以产生光源，就可以设计成可见光的型式，应用于信号判别数字显示， 甚至于影像处理或显示屏，LED 渐渐的独立而自成一体系。 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电 能转化为光能。LED 的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着在一个支架上，是负极， 另一
2、端连接电源的正极，整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分 是 P 型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是 N 型半导体，在这边主要是电子。但这 两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N 结”。当电流通过导线作用于这个晶 片的时候，电子就会被推向 P 区，在 P 区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能 量，这就是 LED 发光的原理。而光的波长（光的颜色），是由形成 P-N 结材料决定的。 本课题学习了 LED 的概述、历史背景、光学参数、色学参数、电学参数、LED 的应用与 发展、辐照效应与实验。通过实验对红光、绿光 LED 的光电特性分析，如辐射通
3、量及光电转 换效率和 I-V 的特性曲线。对 6 种电极即环形电极 1、环形电极 2、环形电极 3、旋转形电极、 中心环绕形电极、 树形电极， 对其进行不同剂量的 60Co 源伽玛辐照， 分别给予 2105 rad(Si)、 8105 rad(Si)、1.6106 rad(Si)、3.2106 rad(Si) 4 种吸收剂量并对辐照后的结果进行光、色 参数的测试与分析。 关键字： GaN 发光二极管 电极结构 辐照 II 目目 录录 摘摘 要要 I 第一章第一章 绪绪 论论 . 1 1.1 LED 概述 1 1.2 LED 历史背景 2 1.3 LED 应用前景 3 1.4 LED 的光源特点
4、 6 1.5 制作 LED 的半导体材料 7 1.5.1 直接带隙与间接带隙材料 8 1.5.2 GaN 基 LED 和四元系 LED . 10 1.6 LED 相关光色电参数解释 11 1.6.1 光学参数 11 1.6.2 色学参数 12 1.6.3 电学参数 12 1.6.4 LED 其他相关参数 14 1.6.5 光色测量的必要性 15 1.7 LED 辐照 15 第二章第二章 6 种优化电极在不同辐照剂量下的光、色测试分析种优化电极在不同辐照剂量下的光、色测试分析 . 18 2.1 光参数 18 2.2 色参数 20 第三章第三章 总结总结 22 致致 谢谢 . 错误错误!未定义书签。未定义书签。 参考文献参考文献 . 23 1 第一章第一章 绪绪 论论 1.1 LED 概述 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直 接把电转化为光。 图 1.1-1 LED 构造图 LED 的心脏是一个半导体的晶片（如图 1.1-1），晶片的一端附在一个支架上，一端 是负极，另一端连接电源的正极，
