1、 1 目目 录录 1.设计任务及目标设计任务及目标.1 2.课程设计的基本内容课程设计的基本内容.1 2.1 pnp双极型晶体管的设计双极型晶体管的设计.1 2.2 设计的设计的主要内容主要内容.1 3.晶体管工艺参数设计晶体管工艺参数设计.2 3.1 晶体管的纵向结构参数设计晶体管的纵向结构参数设计.2 3.1.1 集电区杂集电区杂质浓度的确定质浓度的确定2 3.1.2 基区及发射区杂质浓度基区及发射区杂质浓度3 3.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定各区少子迁移率及扩散系数的确定.3 3.1.4 各区少子扩散长度的计算各区少子扩散长度的计算.4 3.1.5 集电区厚度的选择集电区厚度的
2、选择.4 3.1.6 基区宽度的计算基区宽度的计算.4 3.1.7 扩散结深扩散结深.6 3 3.1.8 .8 表面杂质浓度表面杂质浓度.7 3.2 晶体管的横向设计晶体管的横向设计.8 3.3 工艺参数的计算工艺参数的计算.8 3.3.1 基区磷预扩时间基区磷预扩时间 .8 3.3.2 基区磷再扩散时间计算基区磷再扩散时间计算.8 3.3.3 发射区硼预扩时间计算发射区硼预扩时间计算9 3.3.4 发射区硼再扩散时间计算发射区硼再扩散时间计算.9 3.3.5 基区磷扩散需要的氧化层厚度基区磷扩散需要的氧化层厚度10 3.3.6 发射区硼扩散需要的氧化层厚度发射区硼扩散需要的氧化层厚度11 3
3、.3.7 氧化时间的计算氧化时间的计算11 3.3.8设计参数总结设计参数总结12 1 微电子器件与工艺课程设计报告微电子器件与工艺课程设计报告 pnp双极型晶体管的设计双极型晶体管的设计 1 1、课程设计目的与任务、课程设计目的与任务 微电子器件与工艺课程设计 是有关微电子器件和工艺知识的综合应用的 课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识 的必不可少的重要环节。 目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上， 掌握晶体管的设 计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵向结 构参数设计晶体管的图形结构设计材料参数的选取和设计等设计过程的训 练，为从事微电子器件设计、集成电路设
