微电子器件与工艺课程设计--pnp双极型晶体管的设计

1、 1 目目 录录 1.设计任务及目标设计任务及目标.1 2.课程设计的基本内容课程设计的基本内容.1 2.1 pnp双极型晶体管的设计双极型晶体管的设计.1 2.2 设计的设计的主要内容主要内容.1 3.晶体管工艺参数设计晶体管工艺参数设计.2 3.1 晶体管的纵向结构参数设计晶体管的纵向结构参数设计.2 3.1.1 集电区杂集电区杂质浓度的确定质浓度的确定2 3.1.2 基区及发射区杂质浓度基区及发射区杂质浓度3 3.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定各区少子迁移率及扩散系数的确定.3 3.1.4 各区少子扩散长度的计算各区少子扩散长度的计算.4 3.1.5 集电区厚度的选择集电区厚度的

2、选择.4 3.1.6 基区宽度的计算基区宽度的计算.4 3.1.7 扩散结深扩散结深.6 3 3.1.8 .8 表面杂质浓度表面杂质浓度.7 3.2 晶体管的横向设计晶体管的横向设计.8 3.3 工艺参数的计算工艺参数的计算.8 3.3.1 基区磷预扩时间基区磷预扩时间 .8 3.3.2 基区磷再扩散时间计算基区磷再扩散时间计算.8 3.3.3 发射区硼预扩时间计算发射区硼预扩时间计算9 3.3.4 发射区硼再扩散时间计算发射区硼再扩散时间计算.9 3.3.5 基区磷扩散需要的氧化层厚度基区磷扩散需要的氧化层厚度10 3.3.6 发射区硼扩散需要的氧化层厚度发射区硼扩散需要的氧化层厚度11 3.3.7 氧化时间的计算氧化时间的计算11 3.3.8设计参数总结设计参数总结12 4 晶体管制造工艺流程晶体管制造工艺流程.13 4.1 硅片及清洗硅片及清洗15 4.24.2 氧化工艺氧化工艺.16 2 4.3 光刻工艺光刻工艺.17 4.3.14.3.1 光刻原理光刻原理17 4.3.24.3.2 具体工艺流程具体工艺流程18 4.3.34.3.3 硼的扩散硼的扩散