1、I 第 1 章 绪论 1.1 开关电源的发展及国外现状 开关电源在通信系统中得到了广泛的应用，并已成为现代通信供电系统的主 流，而通信业的迅速发展又极大地推动了开关电源的发展。在通信领域中，通常 将高频整流器称为一次电源而将直流-直流(DC/DC)变换器称为二次电源。同时， 开关电源也在各种电子信息设备中，如计算机、充电电源等得到了广泛的应用。 自1957年第一只可控硅(SCR)问世后， 可控硅取代了笨重而且效率低下的硒或 氧化亚铜整流器件，可控硅整流器就作为通信设备的一次电源使用。在随后的20 年内，由于半导体工艺的进步，可控硅的电压、电流额定值及其它特性参数得到 了不断提高和改进，满足了通
2、信设备不断发展的需要，因此，直到70年代，发达 国家还一直将可控硅整流器作为大多数通信设备的一次电源使用。 虽然可控硅整流器工作稳定，能满足通信设备的要求，但它是相控电源，工 作于工频，有庞大笨重的电源变压器、电感线圈、滤波电容，噪声大，效率低， 功率因数低，稳压精度也较低。因此，自1947年肖克莱发明晶体管，并在随后的 几年内对晶体管的质量和性能不断完善提高后，人们就着力研究利用晶体管进行 高频变换的方案。1955年美国罗耶(GHRoger)发明的自激振荡推挽晶体管单变压 器直流变换器，是实现高频转换电路的开始, 1957年美国查赛(JJJen Sen)又发 明了自激式推挽双变压器变换器电路
3、。在此基础上，1964年，美国科学家提出了 取消工频变压器的串联开关电源的设想，并在NEC杂志上发表了“脉宽调制应用于 电源小型化”等文章，为使电源实现体积和重量的大幅下降提供了一条根本途径。 随着大功率硅晶体管的耐压提高和二极管反向恢复时间的缩短等元器件性能 的改善，1969年终于做成了25KHz的开关电源。电源界把开关电源的频率提高到 20KHz以上称为电源技术的“20KHz革命”。经过几年的努力，从开关电源的电路 拓扑型式到相配套的元器件等研究都取得了相当大的进展。在电路拓扑型式上开 发出了单端贮能式反激电路、双反激电路、单端正激式电路、双正激电路、推挽 电路、半桥电路、全桥电路，以适应
4、不同应用场合、不同功率档次的需要；在元 器件方面，功率晶体管和整流二极管的性能也有了较大的提高。1976年美国硅通 用公司第一个做出了型号为SG1524的脉宽调制(PWM, Pulse Width Modulation)控 制芯片，极大地提高了开关电源的可靠性，并进一步减小了体积。 在随后的几年中， 大功率晶体管(GTR)和功率场效应管(MOSFET)相继被研制出 II 来，其电压、电流额定值大为提高，工作频率也提高较多，可靠性也显著增加。 到80年代中后期，绝缘栅双极性晶体管(IGBT)已研制出来并投入了市场，各种通 信设备所需的一次电源大多采取PWM 集成控制芯片、双极型晶体管、场效应管、
5、 绝缘栅双极晶体管。 随着微电子学的发展和元器件生产技术的提高，相继开发出了耐压高的功率 场效应管(VMOS管)和高电压、大电流的绝缘栅双极性晶体管(IGBT)，具有软恢复 特性的大功率高频整流管，各种用途的集成脉宽调制控制器和高性能的铁氧体磁 芯，高频用的电解电容器，低功耗的聚丙烯电容等。主要元器件技术性能的提高， 为高频开关电源向大功率、高效率、高可靠性方向发展奠定了良好基础。 随着通信用开关电源技术的广泛应用和不断深入，实际工作中人们对开关电 源提出了更高的要求，提出了应用技术的高频化、硬件结构的模块化、软件控制 的数字化、产品性能的绿色化、新一代电源的技术含量大大提高，使之更加可靠、
6、稳定、高效、小型、安全。在高频化方面，为提高开关频率并克服一般的PWM和准 谐振、多谐振变换器的缺点，又开发了相移脉宽调制零电压开关谐振变换器，这 种电路克服了PWM方式硬开关造成的较大的开关损耗的缺点，又实现了恒频工作， 克服了准谐振和多谐振变换器工作频率变化及电压、电流幅度大的缺点。采用这 种工作原理，大大减小了开关管的损耗，不但提高了效率也提高了工作频率，减 小了体积，更重要的是降低了变换电路对分布参数的敏感性，拓宽了开关器件的 安全工作区，在一定程度上降低了对器件的要求，从而显著提高了开关电源的可 靠性。 1.2 国内开关电源的发展及现状 建国初期，我国邮电部门的科研技术人员开发了以国产大功率电动发电机组 为主的成套设备作为通信电源。在引进原民主德国FGD系列和前苏联BCC51系列自 动化硒整流器基础上，借鉴国外先进技术，与工厂共同研制成功国产XZL系列自动 化硒整流器，并在武汉通信电源厂批量生产，开始用硒整流器装备通信局(站)， 替换原有的电动发电机组，这标志着我国国产通信电源设备跃到一个新的水平。 但后来， 我国的通信电源发展相当缓慢。 1963年开始研制和采用可控
