1、 电子工艺实习总结报告电子工艺实习总结报告 姓名： 专业： 机械电子工程 班级： 机电 102 学号： 指导教师： 成绩： 一、实习目的与要求一、实习目的与要求 1、切实培养单片机应用系统的实践设计开发能力：采用软件 仿真与硬件仿真手段，培养理论联系实际的能力，借助实训项目 的学习与实作，巩固理论知识，提高实作能力及系统的开发设计 能力。 2、培养自主学习的能力：通过实训发现理论学习的不足，借 助仿真软件，自主学习抽象的理论概念，切实打下坚实的基础。 二二、实习内容实习内容 本次电子工艺实习主要是进行单片机电路的焊接与调试。 1 是焊接工艺的练习，对焊接技术进行了操作与提高。 2 进行了贴片电
2、阻焊接的练习。 3 在 PCB 空板上进行焊接，主要包括贴片电阻、电容、发光二极 管、贴片寄存器等一些管脚较多的器件的焊接。 4 对所焊接的单片机系统进行程序下载后， 对其实现功能进行 了检测。 三三、单片机、单片机开发板原理及各部分功能说明开发板原理及各部分功能说明 单片机有很多的特点，主要表现在：体积小、功耗低、价格廉、 控制功能强、应用现场环境恶劣等等。 51 单片机开发板原理图： 51 单片机开发板原理图 本设计核心采用了STC89C52单片机。 STC89C52RC引脚功能说明 图 1 STC89C52RC引脚图 VCC（40引脚）：电源电压 VSS（20引脚）：接地 P0端口（P0
3、.0P0.7，3932引脚）：P0口是一个漏极开路的 8位双向I/O口。作为输出端口，每个引脚能驱动8个TTL负载，对端 口P0写入“1”时，可以作为高阻抗输入。在访问外部程序和数据存 储器时，P0口也可以提供低8位地址和8位数据的复用总线。此时， P0口内部上拉电阻有效。在Flash ROM编程时，P0端口接收指令字 节；而在校验程序时，则输出指令字节。验证时，要求外接上拉 电阻。 P1端口（P1.0P1.7，18引脚）：P1口是一个带内部上拉电 阻的8位双向I/O口。P1的输出缓冲器可驱动（吸收或者输出电流方 式）4个TTL输入。对端口写入1时，通过内部的上拉电阻把端口拉 到高电位，这是可
4、用作输入口。P1口作输入口使用时，因为有内 部上拉电阻，那些被外部拉低的引脚会输出一个电流（）。 此外，P1.0和P1.1还可以作为定时器/计数器2的外部技术输入 （P1.0/T2）和定时器/计数器2的触发输入（P1.1/T2EX），具体参 见下表： 在对Flash ROM编程和程序校验时，P1接收低8位地址。 P1.0和P1.1引脚复用功能 引脚号 功能特性 P1.0 T2（定时器/计数器2外部计数输入），时钟输出 P1.1 T2EX（定时器/计数器2捕获/重装触发和方向控制） P2端口（P2.0P2.7，2128引脚）：P2口是一个带内部上拉 电阻的8位双向I/O端口。P2的输出缓冲器可以
5、驱动（吸收或输出电 流方式）4个TTL输入。对端口写入1时，通过内部的上拉电阻把端 口拉到高电平，这时可用作输入口。P2作为输入口使用时，因为 有内部的上拉电阻，那些被外部信号拉低的引脚会输出一个电流 （）。 在访问外部程序存储器和16位地址的外部数据存储器（如执 行“MOVX DPTR”指令）时，P2送出高8位地址。在访问8位地址的 外部数据存储器（如执行“MOVX R1”指令）时，P2口引脚上的内 容（就是专用寄存器（SFR）区中的P2寄存器的内容），在整个访 问期间不会改变。 在对Flash ROM编程和程序校验期间，P2也接收高位地址和一 些控制信号。 P3端口（P3.0P3.7，10
6、17引脚）：P3是一个带内部上拉电 阻的8位双向I/O端口。P3的输出缓冲器可驱动（吸收或输出电流方 式）4个TTL输入。对端口写入1时，通过内部的上拉电阻把端口拉 到高电位，这时可用作输入口。P3做输入口使用时，因为有内部 的上拉电阻，那些被外部信号拉低的引脚会输入一个电流（）。 在对Flash ROM编程或程序校验时，P3还接收一些控制信号。 P3口除作为一般I/O口外，还有其他一些复用功能，如下表所 示： P3口引脚复用功能 引脚号 复用功能 P3.0 RXD（串行输入口） P3.1 TXD（串行输出口） P3.2 （外部中断0） P3.3 （外部中断1） P3.4 T0（定时器0的外部输入） P3.5 T1（定时器1的外部输入） P3.6 （外部数据存储器写选通） P3.7 （外部数据存储器读选通） RST（9引脚）：复位输入。当输入连续两个机器周期以上高 电平时为有效，用来完成单片机单片机的复位初始化操作。看门 狗计时完成后，RST引脚
