1、中文 4236 字 译文 ： AT89S52 单片机 at89s52 是美国 ATMEL 公司生产的低电压，高性能 CMOS8 位单片机，片内含4Kbytes 的快速可擦写的只读程序存储器（ PEROM）和 128 bytes 的随机存取数据存储器（ RAM），器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准 MCS-51 产品指令系统，片内置通用 8 位中央处理器（ CPU）和 flish 存储单元，功能强大 at89s52 单片机可为您提供许多高性价比的应用场合，可灵活应用于各种控制领域。 主要性能参数： 与 MCS-51 产品指令系统 完全兼容 4K 字节可重复写 fl
2、ash 闪速存储器 1000 次擦写周期 全静态操作： 0HZ 24MHZ 三级加密程序存储器 128*8 字节内部 RAM 32 个可编程 I/O 口 2 个 16 位定时计数器 6 个中断源 可编程串行 UART 通道 低功耗空闲和掉电模式 功能特性概述 AT89S52 提供以下标准功能： 4K 字节 flish 闪速存储器， 128 字节内部 RAM，32 个 I/O 口线，两个 16 位定时计数器，一个 5 向量两级中断结构，一个全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电路。同时， at89s52 可降至 0HZ 的静态逻辑操作，并支 持两种软件可选的节电工作模式。空闲方式停止 CPU 的工
3、作，但允许RAM，定时计数器，串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存 RAM 中的内容，但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位。 方框图 引脚功能说明 Vcc：电源电压 GND：地 P0 口： P0 口是一组 8 位漏极开路型双向 I/O 口，也即地址 /数据总线复位口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动 8 个逻辑门电路，对端口写“ 1”可 作为高阻抗输入端用。 在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低 8位）和数据总线 复用，在访问期间激活内部上拉电阻。 P1 口： P1 是一个带内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P1 的输出缓冲级可
4、驱动（吸收或输出电流） 4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“ 1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可做熟出口。做输出口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（ Iil） . Flash 编程和程序校验期间， P1 接受低 8 位地址。 P2 口： P2 是一个带有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P2 的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流） 4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“ 1”，通过内部地山拉电阻把 端口拉到高电平，此时可作为输出口，作输出口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（ Iil）。 在访问外部程序
5、存储器获 16 位地址的外部数据存储器（例如执行 MOVX DPTR 指令）时， P2 口送出高 8 位地址数据。在访问 8 位地址的外部数据存储器（如执行 MOVX RI 指令）时， P2 口线上的内容（也即特殊功能寄存器（ SFR）区中 R2 寄存器的内容），在整个访问期间不改变。 Flash 编程或校验时， P2 亦接受高地址和其它控制信号。 P3 口： P3 口是一组带有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口。 P3 口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流） 4 个 TTL 逻辑门电路。对 P3 口写入“ 1”时，他们被内部上拉电阻拉高并可作为输出口。做输出端时，被外部拉低的 P3 口将用上拉电阻输出电流（ Iil）。 P3 口除了作为一般的 I/O 口线外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示： P3 口还接收一些用于 flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。 RST：复位输入。当振荡器工作时， RST 引脚出现两端口引脚 第二功能 P3.0 rxd (串行输入口 ) P3.1 txd (串行输出口 ) P3.2 int0 (外中断 0) P3.3 int1 (外中断 1) P3.4 t0 (定时 /计数器 0) P3.5 t1 (定时 /计数器 1) P3.6 WR (外部数据存储器写选通 ) P3.7 RD (外部数据存储器读选通 )
