1、AT89C51 的介绍 描述 ： AT89C51 是一个低电压，高性能 CMOS8 位单片机带有 4K 字节的可反复擦写的程序存储器（ PENROM）。和 128 字节的存取数据存储器（ RAM），这种器件采用 ATMEL 公司的高密度、不容易丢失存储技术生产，并且能够与 MCS-51 系列的单片机兼容。片内含有 8 位中央处理器和闪烁存储单元，功能强大 AT89C51 单片机可为您提供许多高性价比的应用场合，可灵活应用于各种控制领域。 主要性能参数： 与 MCS-51 产品指令系统完全兼容 4K 字节可重擦写 Flash 闪速存储器 1000 次擦 写周期 数据保留时间： 10 年 全静态操
2、作： 0Hz 24MHz 三级加密程序存储器 128 8 字节内部 RAM 32 个可编程 I/O 口线 2 个 16 位定时 /计数器 6 个中断源 可编程串行 UART 通道 低功耗空闲和掉电模式 片内振荡器和时钟电路 全双工 UART 串行中断口线 双数据寄存器指针 功能特性概述： AT89C51 提供以下标准功能： 4K 字节 Flash 闪速存储器， 128 字节内部 RAM， 32个 I/O 口线，两个 16 位定时 /计数器，一个 5 向量两级中断结构，一个全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电 路。同时， AT89C51 可降至 0Hz 的静态逻辑操作，并支持两种软件可选的节电工
3、作模式。空闲方式停止 CPU 的工作，但允许 RAM，定时 /计数器。串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存 RAM 中的内容，但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位。 AT89C51 单片机是一个行业标准架构，被广泛接受和应用，并作为一种开发工具。有许多工业供应商，他们供应这种控制器或把这种控制器集成到某种类型的系统芯片的结构。医学研究理事会和高级微电子研究所都选择这个设备，但他们论证的是两种截然不同固化工艺。医学研究理 事会的实例是使用时间锁存，需要具体时间以确保单粒子效应减少到最低限度。高级微电子研究所采用超低功耗，以及布局和建筑固化工艺的设计原则来实现其结果。这些
4、是与 Aeroflex 联合技术微电子中心（ UTMC ）完全不同的方法 ，抗辐射固化的 AT89C51 的工业供应商，利用抗辐射固化进程研制自己的 AT89C51 单片机。 引脚功能说明： VCC：电源电压 GND：地 P0 口： P0 口是一组 8 位漏极开路型双向 I/O 口，也即地址 /数据总线复用口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动 8 个 TTL 逻辑门电路，对端口写“ 1”可作为高阻抗输入端用。 在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低 8 位）和数据总线复用，在访问期间即或内部上拉电阻。 在 Flash 编程时， P0 口接收指令字节，而在程序校验时
5、，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。 P1 口： P1 是一个带有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P1 的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流） 4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“ 1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（ IIL）。 Flash 编程和程序校验期间， P1 接收低 8 位地址。 P2 口： P2 是一个带有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P2 的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流） 4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“ 1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高
6、电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（ IIL）。 在访问外部程序存储器或 16 位地址的外部数据存储器（例如执行 MOVXDPTR 指令）时， P2口送出高 8位地址数据。在访问 8位地址的外部数据存储器（如执行 MOVXRI指令）时， P2 口线 上的内容在整个访问期间不改变。 Flash 编程或检验时， P2 亦接收高位地址和其它控制信号。 P3 口： P3 口是一组带有内部电阻的 8 位双向 I/O 口， P3 口输出缓冲故可驱动4 个 TTL 电路。当 P3 口写入“ 1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入，
7、由于外部下拉为低电平， P3 口将输出电流（ ILL）这是由于上拉的缘故。 P3 口除了作为一般的 I/O 口外，更重要的用途是它的第二功能，如表 1 所示： 表 1 P3 口第二功能 端口引脚 第二功能 P3 口还接收一些用于闪烁存储器编程和程序校验的控制信号。 RET：复位输入。当振荡器工作时， RET 引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。 ALE/PROG ：当访问外部程序存储器或数据存储器时， ALE（地址锁存允许）输出脉冲用于锁存地址的低 8 位字节。对 Flash 存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲（ PROG ）。即使不访问外部存储器， ALE 仍以时钟振荡频率的
8、 1/6 输出固定的正脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个 ALE 脉冲。 如有必要，可通过对特殊功能寄存器（ SFR）区中的 8EH 单元的 D0 位置位，可禁止 ALE 操作。该位置位后，只有一条 MOVX 和 MOVC 指令 ALE 才会被激活。此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置 ALE 无效。 PSEN ：程序储存允许（ PSEN ）输出是外部程序存储器的读选通信号， 当 AT89C51由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两次 PSEN 有效，即输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，这两次有
9、效的 PSEN 信号不出现。 EA /VPP：外部访问允许。欲使 CPU 仅访问外部程序存储器（地址为 0000HFFFFH）， EA 端必须保持低电平（接地）。需注意的是：如果加密位 LB1 被编程，复位时内部会锁存 EA 端状态。如 EA 端为高电平（接 VCC 端）， CPU 则执行内部程序存储器中的指令。当 EA 保持低电平时，则在此期间外部程序存储器（ 0000H-FFFFH），不管是否有内部程序存储器。 Flash 存储器编程时，该引脚加上 +12V 的编程允许电源 VPP，当然这必须是该器件是使用 12V 编程电压 VPP。 XTAL1：振荡器反相放大器及内部时钟发生器的输入端。 XTAL2：振荡器反相放大器的输出端。 Ready/BUSY ：字节编程的进度可通过 RDY/BSY 输出信号监测，编程期间， ALE变为高电平“ H”后 P3.4（ RDY/BSY ）端电平被拉低，表示正在编程状态（忙状态）。编程完成后， P3.4 变为高电平表示准备就绪状态。 P3.0 RXD P3.1 TXD P3.2 INT0 P3.3 INT1 P3.4 T0 P3.5 T1 P3.6 WR P3.7 RD
